报告主题：基于界面工程和相变调制的低维铁电存储器件
报告嘉宾：薛飞（研究员，浙江大学）
时 间：2023年7月10日（周一）上午10点
地 点：16877太阳集团守璞楼227会议厅
报告人简介
薛飞，浙江大学杭州国际科创中心科创百人研究员(求是科创学者)，浙江大学微纳电子学院兼聘研究员。2011年中国地质大学(北京)学士，2017年中国科学院大学博士(导师王中林院士)，2017到2021年沙特阿卜杜拉国王科技大学博士后(导师李连忠教授和张西祥教授)。主要从事信息存储与感知器件的研究，聚焦在二维铁电材料与器件、压电电子学器件、微纳制造与集成等领域。近几年在Nature Electronics等国内外知名杂志上发表文章29篇，其中第一或通讯作者论文包括Science Advances、 Nature Communications、 Matter、 Applied Physics Reviews、 Advanced Materials (4)、 Advanced Functional Materials (3)、ACS Nano (2)、IEEE-TED等，单篇他引超140次的一作论文4篇。获授权中国专利5项。国际期刊Microelectronic Engineering (Elsevier) 副主编，2022 Vebleo Fellow。入选杭州市西湖明珠海外高层次人才、杭州市C类省级领军人才。
报告内容简介
随着人工智能、物联网和大数据的到来，海量数据需要在极短的时间内采集、处理并保存，因而数据将频繁地穿梭于传感、计算与存储单元之间，给主流的冯诺依曼架构计算机带来严峻的速度与能耗挑战。为解决此问题，新的计算范式应运而生，例如类脑计算 (Neuromorphic Computing) 和存算一体 (In-memory Computing), 这些技术能够模拟人类大脑的工作模式，在同一器件中实现计算与存储的完美融合，能大幅度降低运行功耗并提高计算速度。新兴的低维维铁电存储器件给类脑计算和存算一体的硬件实施，提供了全新的希望与方向，因为它们有出众的极限缩微、多功能传感、超快运行速度、稳定阻变等特性。本报告将介绍我们在低维铁电存储晶体管的界面工程、相变调制、极限缩微、新器件结构等方面的持续探索和的持续探索。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
16877太阳集团
2023年7月8日
