基于硼氮的多重共振（MR）发光材料由于具有高荧光量子产率、窄谱带发射等优良的光物理性质，成为目前OLED发光材料的研究热点。目前兼具高效率、高色纯度的蓝光和绿光OLED器件已有报道。然而，由于硼氮MR分子的结构限制，开发高性能窄谱带纯红光材料仍具有相当大的挑战性。
针对上述问题，我校杨楚罗教授课题组提出了一种简单有效的“双硼氮氧”多重共振分子设计策略，构筑了一类窄谱带红光发光材料，这一类发光材料不仅能方便的合成和衍生，还具有优良的光物理性能，包括高的光致发光量子产率（97%）、极快的辐射跃迁速率（7.4 ⅹ 107s-1），以及窄的半峰宽（32 nm）。基于这类发光材料制备的纯红光OLED器件外量子器件效率高达36.1%，是目前报道的红光OLED器件效率最高值，性能显著优于传统的磷光和给受体型热活化延迟荧光材料OLED。与此同时，此OLED器件还具有极低的效率滚降（亮度50000 流明时外量子效率仍高达25.1%），超高的亮度（高达135000流明），以及优良的器件稳定性。这一工作对开发高效红光发光材料以实现高性能全色OLED显示具有重要的意义。
相关成果以标题“High Performance Narrowband Pure-Red OLEDs with External Quantum Efficiencies up to 36.1% and Ultra-Low Efficiency Roll-Off”发表于Advanced Materials（影响因子30.849，中科院JCR一区，材料领域的TOP期刊），该论文第一作者为我校16877太阳集团邹洋助理教授，杨楚罗教授为独立通讯作者，我校16877太阳集团为唯一完成单位。
全文链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi /10.1002/adma.202201442。
近来，杨楚罗教授团队在窄谱带OLED发光材料和器件上取得了系列重要进展。深蓝光OLED色坐标为（0.14, 0.08），半峰宽为23 nm，外量子效率可达37.6%，是目前国际上深蓝光OLED器件效率的最高值，发表在Angew. Chem. Int. Ed.（影响因子15.336，中科院JCR一区，TOP期刊，全文链接： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202201588）。天蓝光OLED器件实现了40%的发光效率，创造了目前国际上窄发射OLED器件效率的纪录，发表在Advanced Materials（影响因子30.849，中科院JCR一区，TOP期刊，全文链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202106954）。
